AI點燃記憶體「超級週期」!大摩預言:2026年報價將比2025更狂飆
2025/12/10

記憶體報價轉強,帶動美光(Micron)股價被大摩調高目標價。(圖片來源:iStock)
曾以雲霄飛車行情聞名的記憶體產業,在2023年觸底後,經歷近兩年的調整,如今終於在 2025 年底明確翻轉。這一波回升,不再只是需求修復帶來的短暫反彈。
華爾街重量級研究機構摩根士丹利(Morgan Stanley,簡稱大摩)最新發布的產業報告指出,記憶體供需缺口正在擴大,ASP(平均售價)走升具備結構性支撐,大摩強調,真正的高峰將出現在2026年,無論需求動能或價格漲幅,都可能比2025年更強。整個記憶體市場正站在「超級週期」的起點。
本文目錄

筆電記憶體模組示意,近期傳出多種記憶體規格傳出供應吃緊,價格走強。(圖片來源:iStock)
傳統記憶體供給吃緊 大摩:2026 合約價上行更具確定性
近月來,記憶體市場的供需緊縮現象愈趨明顯。大摩在最新產業報告中指出,隨著各大晶圓廠把產能持續往 HBM 與高階 DRAM 傾斜,傳統記憶體,包含 DDR4、MLC NAND 與 NOR Flash,反而因產能被壓縮而形成結構性缺口。
通路端已陸續出現特定規格庫存偏低、交期拉長的情況,價格走勢同步轉強。雖然市場上流傳部分規格現貨大幅飆漲的說法,但大摩強調,更值得關注的不是短期現貨波動,而是2026 年整體合約價上行的確定性。

資料量持續攀升,帶動記憶體需求走強。大摩預估,AI 將在 2026 年推動新一輪記憶體獲利潮。(圖片來源:iStock)
大摩為什麼看好2026年記憶體大爆發?
看好這波記憶體循環延續,大摩半導體首席分析師 Joseph Moore 在 2025 年11月底上修多檔記憶體相關個股的評等,包括美光(Micron)等主要記憶體指標。大摩指出,2026 年的報價動能將比2025年更為明確,獲利表現也有望同步走升。
大摩預期,隨著 AI 基礎建設、企業伺服器與資料中心需求全面升溫,2026 年傳統記憶體的供需緊俏態勢將延續,價格漲幅甚至可能比 2025 年更具力道。尤其 NOR Flash 受減產、產能調整影響,供應缺口有機會從低個位數擴大至高個位數,使相關產品 ASP 明顯走揚。報告指出,這並非短線反彈,而是由產能結構與需求變化共同推動的新一輪週期,記憶體產業正逐步進入一個更具延展性的上升階段。

AI 訓練量狂飆,記憶體需求大缺口成形,台灣和美國及南韓三大產地全面受益。(圖片來源:iStock)
投資人得注意 風險仍在 記憶體甜蜜期並非「一路無敵」
記憶體產業強勢翻揚,對模組廠、封測廠與利基型供應鏈無疑是一波久違的順風行情,但投資人仍需留意幾個可能牽動週期轉折的變數,首先,高頻寬記憶體(HBM)在未來兩年將邁入 HBM3E 與 HBM4 的快速更迭,工藝複雜度與良率挑戰同步提高,任何一家廠商若在堆疊或散熱技術上出現瓶頸,出貨節奏與獲利表現都有可能受到拖累。
其次,雖然 AI 帶來的伺服器需求依舊強健,但全球消費性電子的復甦腳步仍顯緩,若 PC、手機或消費型 NAND 的拉貨動能未如預期回溫,標準型 DRAM 的價格依然可能受壓。此外,記憶體生產高度集中於韓國、美國與台灣,一旦遇上地緣政治摩擦、出口管制升級或供應鏈事故,市場波動幅度可能遠超過一般電子零組件。
整體而言,記憶體產業確實已走出過去「有量無價」的泥淖,迎來價量同揚的理想環境;然而,這場結構性紅利能走得多長,關鍵仍在於 AI 伺服器投資是否能持續擴張。對投資人而言,比起追逐短線報價,掌握長線趨勢才是真正的勝負點。

記憶體晶片價格雖迎來結構性反彈,但投資人仍需留意股價波動與循環風險。(圖片來源:iStock)
*以上資訊僅供參考,投資人應獨立判斷,審慎評估並自負投資風險。
心發現延伸閱讀:
